南京励盛半导体科技有限公司 main business:许可经营项目：无 一般经营项目：半导体元器件的技术开发、技术推广、技术转让、技术咨询、技术服务；售后服务；销售自产产品。（不涉及进出口配额及许可证） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 320100400054760
- 在业
- 有限责任公司(台港澳自然人独资)
- 2013年10月10日
- 苏冠创
- 17万元人民币
- 2013年10月10日 至 2023年10月07日
- 南京市工商行政管理局
- 2013年11月07日
- 南京市鼓楼区古平岗4号C座2层孵化器236房
- 许可经营项目：无 一般经营项目：半导体元器件的技术开发、技术推广、技术转让、技术咨询、技术服务；售后服务；销售自产产品。（不涉及进出口配额及许可证）
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN105895665A | 一种半导体功率器件的背面掺杂区的结构 | 2016.08.24 | 本发明公开了一种半导体功率器件的背面掺杂区的结构，器件的背面包括以下特征：在靠近背面至少有一独立的P |
| 2 | CN106611776A | 一种N型碳化硅肖特基二极管结构 | 2017.05.03 | 本发明涉及一种N型碳化硅肖特基二极管结构，包括以下特征：在N型碳化硅肖特基二极管器件体内没有P型掺杂 |
| 3 | CN106611798A | 一种N型碳化硅半导体肖特基二极管结构 | 2017.05.03 | 本发明涉及一种N型碳化硅半导体肖特基二极管结构，包括以下特征：在N型碳化硅肖特基二极管器件体内没有P |
| 4 | CN106611777A | 一种碳化硅半导体器件的终端结构 | 2017.05.03 | 本发明涉及一种碳化硅半导体器件的终端结构，包括以下特征：终端结构可有多于一个浓度斜率掺杂区，以终端区 |
| 5 | CN106571300A | 一种碳化硅半导体器件的栅极介质层的制造工艺 | 2017.04.19 | 本发明涉及一种碳化硅半导体器件的栅极介质层的制造工艺，包括以下步骤：先将碳化硅表面清洗干净，在沉积介 |
| 6 | CN106571385A | 一种金属碳化硅接触的结构 | 2017.04.19 | 本发明涉及一种金属碳化硅接触的结构，包括以下特征：最少由两种不同的金属碳化硅接触组成的，其中一种是金 |
| 7 | CN106469647A | 一种碳化硅半导体器件的掺杂制造工艺 | 2017.03.01 | 本发明涉及一种碳化硅半导体器件的掺杂制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：对碳化硅晶圆工件需掺杂的位置 |
| 8 | CN106469646A | 一种碳化硅器件用离子注入来形成高掺杂的制造方法 | 2017.03.01 | 本发明涉及一种碳化硅器件用离子注入来形成高掺杂的制造方法，包括以下特征：首先把碳化硅晶圆工件需要高浓 |
| 9 | CN105990406A | 一种制造在外延硅片上功率器件的背面结构 | 2016.10.05 | 本发明公开了一种制造在外延硅片上功率器件的背面结构，器件的背面包括以下特征：器件背面主要的掺杂区是在 |
| 10 | CN105895677A | 一种半导体器件的背面结构 | 2016.08.24 | 本发明公开了一种半导体器件的背面结构，器件的背面包括以下特征：半导体背面至少有三种不同掺杂浓度的区域 |
| 11 | CN105895633A | 一种半导体双向功率器件的结构 | 2016.08.24 | 本发明公开了一种半导体双向功率器件的结构，包括以下特征：每一端的有源区最少由两种不同的单元组成，其中 |
| 12 | CN105895525A | 一种制备半导体器件背面掺杂区的工艺方法 | 2016.08.24 | 本发明公开了一种制备半导体器件背面掺杂区的工艺方法，制备的工艺方法包括以下特征：透过FZ硅片本身掺杂 |
| 13 | CN105895678A | 一种制造在外延硅片上半导体功率器件的背面结构 | 2016.08.24 | 本发明公开了一种制造在外延硅片上半导体功率器件的背面结构，器件的背面包括以下特征：器件背面主要的掺杂 |
| 14 | CN105489636A | 一种半导体功率器件的背面结构 | 2016.04.13 | 本发明公开了一种半导体功率器件的背面结构，器件的背面包括以下特征：半导体背面有一N型缓冲层，深度大于 |
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